Y. L. Foo, K. A. Bratland, B. Cho, Patrick Desjardins
et J. E. Greene
Article de revue (2003)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/25910/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 93, no 7) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.1555704 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.1555704 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:19 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:12 |
| Citer en APA 7: | Foo, Y. L., Bratland, K. A., Cho, B., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2003). Si₁₋yCy/Si(001) gas-source molecular beam epitaxy from Si₂H₆ and CH₃SiH₃: surface reaction paths and growth kinetics. Journal of Applied Physics, 93(7), 3944-3950. https://doi.org/10.1063/1.1555704 |
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