Y. L. Foo, K. A. Bratland, B. Cho, Patrick Desjardins
, J. E. Greene
Article de revue (2003)
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Département:
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Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
93
,
no
7
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:25910
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:19
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:01
Citer en APA 7:
Foo, Y. L., Bratland, K. A., Cho, B., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2003). Si₁₋yCy/Si(001) gas-source molecular beam epitaxy from Si₂H₆ and CH₃SiH₃: surface reaction paths and growth kinetics. Journal of Applied Physics, 93(7), 3944-3950. https://doi.org/10.1063/1.1555704
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