Aissa Boudjella, Zhongfang Jin et Yvon Savaria
Article de revue (2004)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie électrique |
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/25255/ |
| Titre de la revue: | Japanese Journal of Applied Physics (vol. 43, no 6) |
| Maison d'édition: | Institute of Physics |
| DOI: | 10.1143/jjap.43.3831 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1143/jjap.43.3831 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:19 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 02:14 |
| Citer en APA 7: | Boudjella, A., Jin, Z., & Savaria, Y. (2004). Electrical Field Analysis of Nanoscale Field Effect Transistors. Japanese Journal of Applied Physics, 43(6), 3831-3837. https://doi.org/10.1143/jjap.43.3831 |
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