Aissa Boudjella, Zhongfang Jin et Yvon Savaria
Article de revue (2004)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie électrique |
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URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/25255/ |
Titre de la revue: | Japanese Journal of Applied Physics (vol. 43, no 6) |
Maison d'édition: | Institute of Physics |
DOI: | 10.1143/jjap.43.3831 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1143/jjap.43.3831 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:19 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:05 |
Citer en APA 7: | Boudjella, A., Jin, Z., & Savaria, Y. (2004). Electrical Field Analysis of Nanoscale Field Effect Transistors. Japanese Journal of Applied Physics, 43(6), 3831-3837. https://doi.org/10.1143/jjap.43.3831 |
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