Analysis of gate modulation in nanoscale field effect transistors using an equivalent substrate integrated waveguide (SIW) model

Zhong-Fang Jin, Minying Yang, Yvon Savaria, Ke Wu

Communication écrite (2004)

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Département:
Département de génie électrique
ISBN:
0969256396
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/24932/
Nom de la conférence:
10th International Symposium on Antenna Technology and Applied Electromagnetics and URSI Conference (ANTEM/URSI 2004)
Lieu de la conférence:
Ottawa, Ont., Canada
Date(s) de la conférence:
2004-07-20 - 2004-07-23
Maison d'édition:
IEEE
DOI:
10.1109/antem.2004.7860633
URL officielle:
https://doi.org/10.1109/antem.2004.7860633
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:24932
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:19
Dernière modification:
14 oct. 2026 12:59
Citer en APA 7:
Jin, Z.-F., Yang, M., Savaria, Y., & Wu, K. (juillet 2004). Analysis of gate modulation in nanoscale field effect transistors using an equivalent substrate integrated waveguide (SIW) model [Communication écrite]. 10th International Symposium on Antenna Technology and Applied Electromagnetics and URSI Conference (ANTEM/URSI 2004), Ottawa, Ont., Canada. https://doi.org/10.1109/antem.2004.7860633

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