Analysis of gate modulation in nanoscale field effect transistors using an equivalent substrate integrated waveguide (SIW) model

Zhong-Fang Jin, Minying Yang, Yvon Savaria et Ke Wu

Communication écrite (2004)

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Département:	Département de génie électrique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/24932/
Nom de la conférence:	10th International Symposium on Antenna Technology and Applied Electromagnetics and URSI Conference (ANTEM/URSI 2004)
Lieu de la conférence:	Ottawa, Ont., Canada
Date(s) de la conférence:	2004-07-20 - 2004-07-23
Maison d'édition:	IEEE
DOI:	10.1109/antem.2004.7860633
URL officielle:	https://doi.org/10.1109/antem.2004.7860633
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:19
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:10

Citer en APA 7:	Jin, Z.-F., Yang, M., Savaria, Y., & Wu, K. (juillet 2004). Analysis of gate modulation in nanoscale field effect transistors using an equivalent substrate integrated waveguide (SIW) model [Communication écrite]. 10th International Symposium on Antenna Technology and Applied Electromagnetics and URSI Conference (ANTEM/URSI 2004), Ottawa, Ont., Canada. https://doi.org/10.1109/antem.2004.7860633
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