<  Retour au portail Polytechnique Montréal

Analysis of gate modulation in nanoscale field effect transistors using an equivalent substrate integrated waveguide (SIW) model

Zhong-Fang Jin, Minying Yang, Yvon Savaria et Ke Wu

Communication écrite (2004)

Un lien externe est disponible pour ce document
Département: Département de génie électrique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/24932/
Nom de la conférence: 10th International Symposium on Antenna Technology and Applied Electromagnetics and URSI Conference (ANTEM/URSI 2004)
Lieu de la conférence: Ottawa, Ont., Canada
Date(s) de la conférence: 2004-07-20 - 2004-07-23
Maison d'édition: IEEE
DOI: 10.1109/antem.2004.7860633
URL officielle: https://doi.org/10.1109/antem.2004.7860633
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:19
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:04
Citer en APA 7: Jin, Z.-F., Yang, M., Savaria, Y., & Wu, K. (juillet 2004). Analysis of gate modulation in nanoscale field effect transistors using an equivalent substrate integrated waveguide (SIW) model [Communication écrite]. 10th International Symposium on Antenna Technology and Applied Electromagnetics and URSI Conference (ANTEM/URSI 2004), Ottawa, Ont., Canada. https://doi.org/10.1109/antem.2004.7860633

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document Afficher document