Characterization of GaAs₁₋ₓ Nₓ epitaxial layers by ion beam analysis

P. Wei, M. Chicoine, S. Gujrathi, F. Schiettekatte, J. N. Beaudry, Rémo A. Masut et Patrick Desjardins

Article de revue (2004)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/24531/
Titre de la revue:	Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films (vol. 22, no 3)
Maison d'édition:	American Vacuum Society
DOI:	10.1116/1.1648671
URL officielle:	https://doi.org/10.1116/1.1648671
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:19
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:10

Citer en APA 7:	Wei, P., Chicoine, M., Gujrathi, S., Schiettekatte, F., Beaudry, J. N., Masut, R. A., & Desjardins, P. (2004). Characterization of GaAs₁₋ₓ Nₓ epitaxial layers by ion beam analysis. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 22(3), 908-911. https://doi.org/10.1116/1.1648671
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