Characterization of GaAs₁₋ₓ Nₓ epitaxial layers by ion beam analysis

P. Wei, M. Chicoine, S. Gujrathi, François Schiettekatte, J. N. Beaudry, Rémo A. Masut, Patrick Desjardins

Article de revue (2004)

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Titre de la revue :
Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films ( vol. 22 , no 3 )
Maison d'édition:
American Vacuum Society
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:24531
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:19
Dernière modification:
14 oct. 2026 12:58
Citer en APA 7:
Wei, P., Chicoine, M., Gujrathi, S., Schiettekatte, F., Beaudry, J. N., Masut, R. A., & Desjardins, P. (2004). Characterization of GaAs₁₋ₓ Nₓ epitaxial layers by ion beam analysis. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 22(3), 908-911. https://doi.org/10.1116/1.1648671

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