P. Wei, M. Chicoine, S. Gujrathi, François Schiettekatte, J. N. Beaudry, Rémo A. Masut et Patrick Desjardins
Article de revue (2004)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie physique |
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| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/24531/ |
| Titre de la revue: | Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films (vol. 22, no 3) |
| Maison d'édition: | American Vacuum Society |
| DOI: | 10.1116/1.1648671 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1116/1.1648671 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:19 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 02:13 |
| Citer en APA 7: | Wei, P., Chicoine, M., Gujrathi, S., Schiettekatte, F., Beaudry, J. N., Masut, R. A., & Desjardins, P. (2004). Characterization of GaAs₁₋ₓ Nₓ epitaxial layers by ion beam analysis. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 22(3), 908-911. https://doi.org/10.1116/1.1648671 |
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