Robert Chebli, Mohamad Sawan
, Yvon Savaria et Kamal El-Sankary
Communication écrite (2007)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: |
GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes Polystim - Laboratoire de neurotechnologie |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/22120/ |
| Nom de la conférence: | IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2007) |
| Lieu de la conférence: | New Orleans, LA, USA |
| Date(s) de la conférence: | 2007-05-27 - 2007-05-30 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/iscas.2007.378227 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/iscas.2007.378227 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:16 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:06 |
| Citer en APA 7: | Chebli, R., Sawan, M., Savaria, Y., & El-Sankary, K. (mai 2007). High-voltage DMOS integrated circuits with floating gate protection technique [Communication écrite]. IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2007), New Orleans, LA, USA. https://doi.org/10.1109/iscas.2007.378227 |
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