G. Bentoumi, Z. Yaïche, R. Leonelli, J. N. Beaudry, Patrick Desjardins et Rémo A. Masut
Article de revue (2008)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
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Centre de recherche: | RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe |
Organismes subventionnaires: | NSERC/CRSNG, Fonds Québécois de la Recherche sur la Nature et les Technologies (FQRNT) |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/21106/ |
Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 103, no 6) |
Maison d'édition: | American Institute of Physics |
DOI: | 10.1063/1.2901141 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.2901141 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:15 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 15:59 |
Citer en APA 7: | Bentoumi, G., Yaïche, Z., Leonelli, R., Beaudry, J. N., Desjardins, P., & Masut, R. A. (2008). Low-Temperature Emission in Dilute GaAsN Alloys Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Journal of Applied Physics, 103(6), 063526-1-063526-5. https://doi.org/10.1063/1.2901141 |
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