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Effects of grown-in defects on interdiffusion dynamics in inAs/InP(001) quantum dots subjected to rapid thermal annealing

C. Dion, Patrick Desjardins, N. Shtinkov, F. Schiettekatte, P. J. Poole et S. Raymond

Article de revue (2008)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/20872/
Titre de la revue: Journal of Applied Physics (vol. 103, no 8)
Maison d'édition: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.2905317
URL officielle: https://doi.org/10.1063/1.2905317
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:15
Dernière modification: 29 sept. 2023 13:56
Citer en APA 7: Dion, C., Desjardins, P., Shtinkov, N., Schiettekatte, F., Poole, P. J., & Raymond, S. (2008). Effects of grown-in defects on interdiffusion dynamics in inAs/InP(001) quantum dots subjected to rapid thermal annealing. Journal of Applied Physics, 103(8), 083526-083526. https://doi.org/10.1063/1.2905317

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