Effects of grown-in defects on interdiffusion dynamics in inAs/InP(001) quantum dots subjected to rapid thermal annealing

C. Dion, Patrick Desjardins, N. Shtinkov, F. Schiettekatte, P. J. Poole, S. Raymond

Article de revue (2008)

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Titre de la revue :
Journal of Applied Physics ( vol. 103 , no 8 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:20872
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Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:15
Dernière modification:
14 oct. 2026 12:53
Citer en APA 7:
Dion, C., Desjardins, P., Shtinkov, N., Schiettekatte, F., Poole, P. J., & Raymond, S. (2008). Effects of grown-in defects on interdiffusion dynamics in inAs/InP(001) quantum dots subjected to rapid thermal annealing. Journal of Applied Physics, 103(8), 083526-083526. https://doi.org/10.1063/1.2905317

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