C. Dion, Patrick Desjardins
, N. Shtinkov, F. Schiettekatte, P. J. Poole et S. Raymond
Article de revue (2008)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/20872/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 103, no 8) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.2905317 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.2905317 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:15 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 02:08 |
| Citer en APA 7: | Dion, C., Desjardins, P., Shtinkov, N., Schiettekatte, F., Poole, P. J., & Raymond, S. (2008). Effects of grown-in defects on interdiffusion dynamics in inAs/InP(001) quantum dots subjected to rapid thermal annealing. Journal of Applied Physics, 103(8), 083526-083526. https://doi.org/10.1063/1.2905317 |
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