Afshin Nourivand, Asim J. Al-Khalili et Yvon Savaria
Communication écrite (2008)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| ISBN: | 9781424421664 |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/20397/ |
| Nom de la conférence: | 51st IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS 2008) |
| Lieu de la conférence: | Knoxville, TN, United states |
| Date(s) de la conférence: | 2008-08-10 - 2008-08-13 |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/mwscas.2008.4616827 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/mwscas.2008.4616827 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:16 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 02:07 |
| Citer en APA 7: | Nourivand, A., Al-Khalili, A. J., & Savaria, Y. (août 2008). Aggressive leakage reduction of SRAMs using error checking and correcting (ECC) techniques [Communication écrite]. 51st IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS 2008), Knoxville, TN, United states. https://doi.org/10.1109/mwscas.2008.4616827 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
