 | Monter d'un niveau |
Abboud, Z., Chagnon, D., Assali, S., Fortin-Deschenes, M., Coia, C., & Moutanabbir, O. (septembre 2018). Hermetic Wafer-Level Packaging of Microbolometers for Uncooled Thermal Cameras [Résumé]. AiMES 2018 Meeting, Cancun, Mexico. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2018-02(29). Lien externe
Assali, S., Attiaoui, A., Mukherjee, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (2018). TEOS layers for low temperature processing of group IV optoelectronic devices. Journal of Vacuum Science & Technology B, 36(6), 8 pages. Lien externe
Assali, S., Nicolas, J., Mukherjee, S., Bouthillier, É., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (septembre 2018). Structure and Optoelectronic Properties of Atomically Random Sn-Rich Gesn Semiconductors [Résumé]. AiMES 2018 Meeting, Cancun, Mexico. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2018-02(31). Lien externe
Attiaoui, A., Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (septembre 2018). Mapping Strain and Composition Effects on Gesn Band Structure Using Spectroscopic Ellipsometry [Résumé]. AiMES 2018 Meeting, Cancun, Mexico. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2018-02(31). Lien externe
Bouthillier, É., Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (septembre 2018). Decoupling Strain and Composition Effects on Ge₁₋YSny Lattice Vibrations [Résumé]. AiMES 2018 Meeting, Cancun, Mexico. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2018-02(31). Lien externe
Mukherjee, S., Assali, S., & Moutanabbir, O. (2018). Group IV nanowires for carbon-free energy conversion. Semiconductors and Semimetals, 98, 151-229. Lien externe
