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Documents dont l'auteur est "Nicolas, J."

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Article de revue

Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (2019). Enhanced Sn incorporation in GeSn epitaxial semiconductors via strain relaxation. Journal of Applied Physics, 125(2). Lien externe

Assali, S., Elsayed, M., Nicolas, J., Liedke, M. O., Wagner, A., Butterling, M., Krause-Rehberg, R., & Moutanabbir, O. (2019). Vacancy complexes in nonequilibrium germanium-tin semiconductors. Applied Physics Letters, 114(25), 6 pages. Lien externe

Assali, S., Nicolas, J., Mukherjee, S., Dijkstra, A., & Moutanabbir, O. (2018). Atomically uniform Sn-rich GeSn semiconductors with 3.0-3.5 µm room-temperature optical emission. Applied Physics Letters, 112(25), 5 pages. Lien externe

Rapport technique

Beaudry, C., Boyer, P., Camarero, R., Chaouki, J., Comeau, Y., Dansereau, J., Desjardins, P., Dupuis, C., Hurteau, R., Nicolas, J., & Pierre, S. (2010). Vers la création d'un microprogramme de 3e cycle visant l'enrichissement des habiletés des doctorats. (Rapport technique). Non disponible

Liste produite: Sat Dec 6 03:49:02 2025 EST.