S. Assali, M. Elsayed, J. Nicolas, M. O. Liedke, A. Wagner, M. Butterling, R. Krause-Rehberg, Oussama Moutanabbir
Article de revue (2019)
Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
114
,
no
25
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics Inc.
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:43504
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:01
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:55
Citer en APA 7:
Assali, S., Elsayed, M., Nicolas, J., Liedke, M. O., Wagner, A., Butterling, M., Krause-Rehberg, R., & Moutanabbir, O. (2019). Vacancy complexes in nonequilibrium germanium-tin semiconductors. Applied Physics Letters, 114(25), 6 pages. https://doi.org/10.1063/1.5108878
Statistiques
Dimensions
