S. Assali, J. Nicolas et Oussama Moutanabbir
Article de revue (2019)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/42037/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 125, no 2) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.5050273 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.5050273 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:01 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:39 |
| Citer en APA 7: | Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (2019). Enhanced Sn incorporation in GeSn epitaxial semiconductors via strain relaxation. Journal of Applied Physics, 125(2). https://doi.org/10.1063/1.5050273 |
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