S. Assali, J. Nicolas, Oussama Moutanabbir
Article de revue (2019)
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Département:
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Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
125
,
no
2
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:42037
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:01
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:53
Citer en APA 7:
Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (2019). Enhanced Sn incorporation in GeSn epitaxial semiconductors via strain relaxation. Journal of Applied Physics, 125(2). https://doi.org/10.1063/1.5050273
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