S. Assali, J. Nicolas, S. Mukherjee, A. Dijkstra, Oussama Moutanabbir
Article de revue (2018)
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Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
112
,
no
25
)
Maison d'édition:
AIP Publishing
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:40536
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:02
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:50
Citer en APA 7:
Assali, S., Nicolas, J., Mukherjee, S., Dijkstra, A., & Moutanabbir, O. (2018). Atomically uniform Sn-rich GeSn semiconductors with 3.0-3.5 µm room-temperature optical emission. Applied Physics Letters, 112(25), 5 pages. https://doi.org/10.1063/1.5038644
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