 | Monter d'un niveau |
Fortin, V., Gujrathi, S. C., Gagnon, G., Gauvin, R., Currie, J. F., Ouellet, L., & Tremblay, Y. (1999). Effect of in Situ Plasma Oxidation of Tin Diffusion Barrier for Alsicu/Tin/Ti Metallization Structure of Integrated Circuits. Journal of vacuum science & technology. B. Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 17(2), 423-431. Lien externe
Fortin, V., Gagnon, G., Caron, M., Gujrathi, S. C., Currie, J. F., Ouellet, L., Tremblay, Y., & Biberger, M. (1998). The determination of phases formed in AlSiCu/TiN/Ti contact metallization structure of integrated circuits by x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, 83(1), 132-138. Lien externe
Gujrathi, S. C., Gagnon, G., Fortin, V., Caron, M., Currie, J. F., Ouellet, L., & Tremblay, Y. (1998). Elastic Recoil Detection Using Time-of-Flight for Analysis of Tin/Alsicu/Tin/Ti Contact Metallization Structures. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions With Materials and Atoms, 138, 661-668. Lien externe
Bassal, F., Riopel, D., Villeneuve, L., Gagnon, G., & Jaubert, B. (décembre 1993). Devis estimatif de qualité par l'intégration transfonctionnelle [Communication écrite]. 4e congrès international de génie industriel, Marseille, France. Non disponible
Gagnon, G., Pelissou, S., & Wertheimer, M. R. (octobre 1989). Oxidation dependence of breakdown strength of XLPE [Communication écrite]. Conference on Electrical Insulation & Dielectric Phenomena. Lien externe
