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Documents dont l'auteur est "Daoust, Patrick"

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Nombre de documents: 14

Article de revue

Daoust, P., Rotaru, N., Biswas, D., Koelling, S., Rahier, E., Dubé-Valade, A., Del Vecchio, P., Edwards, M. S., Tanvir, M., Sajadi, E., Salfi, J., & Moutanabbir, O. (2026). Nuclear Spin‐Free ⁷⁰Ge/²⁸Si⁷⁰Ge Quantum Well Heterostructures Grown on Industrial SiGe‐Buffered Wafers. Advanced Science. Lien externe

Daoust, P., Del Vecchio, P., Rotaru, N., Dubé-Valade, A., Assali, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Koelling, S., Luo, L., Rahier, E., & Moutanabbir, O. (2025). Reduced Pressure Chemical Vapour Deposition Growth of Nuclear Spin-Free 70Ge/28Si70Ge Heterostructures on Industrial Si-Ge Substrates. Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2025-01(36), 1717 (1 page). Lien externe

Lemieux-Leduc, C., Atalla, M. R. M., Assali, S., Koelling, S., Daoust, P., Luo, L., Daligou, G. T. E. G., Brodeur, J., Kéna-Cohen, S., Peter, Y.-A., & Moutanabbir, O. (2025). Transfer-printed Multiple GeSn Membrane Mid-infrared Photodetectors. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 31(1), 3450302 (12 pages). Lien externe

Atalla, M. R. M., Lemieux-Leduc, C., Assali, S., Koelling, S., Daoust, P., & Moutanabbir, O. (2024). Extended short-wave infrared high-speed all-GeSn PIN photodetectors on silicon. APL Photonics, 9(5), 056103 (8 pages). Disponible

Atalla, M. R. M., Assali, S., Daligou, G. T. E. G., Attiaoui, A., Koelling, S., Daoust, P., & Moutanabbir, O. (2024). Continuous-Wave GeSn Light-Emitting Diodes on Silicon with 2.5 μm Room-Temperature Emission. ACS Photonics, 4c00033 (7 pages). Lien externe

Moutanabbir, O., Assali, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Daoust, P., Del Vecchio, P., Koelling, S., Luo, L., & Rotaru, N. (2023). Nuclear Spin-Depleted, Isotopically Enriched⁷⁰Ge/²⁸ Si⁷⁰Ge Quantum Wells. Advanced Materials, 2305703 (7 pages). Lien externe

Py-Renaudie, A., Daoust, P., Côté, M., Desjardins, P., & Masut, R. A. (2020). Ab initio piezoelectric properties of wurtzite ZnO-based alloys: Impact of the c/a cell ratio. Physical Review Materials, 4(5), 053601 (9 pages). Lien externe

Communication écrite

Daoust, P., Rotaru, N., Dubé-Valade, A., Koelling, S., Rahier, E., Del Vecchio, P., Biswas, D., Edwards, M., Tanvir, M., Sajadi, E., Salfi, J., & Moutanabbir, O. (novembre 2025). Isotopically pure 70Ge/28Si70Ge heterostructures grown on SiGe-buffered Si wafers [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan. Non disponible

Lemieux-Leduc, C., Atalla, M. R. M., Assali, S., Daoust, P., Daligou, G. T. E. G., Brodeur, J., Kéna-Cohen, S., Peter, Y.-A., & Moutanabbir, O. (novembre 2023). Transfer-printing of GeSn membranes for broadband photodetection in the extended short-wave infrared [Communication écrite]. IEEE Photonics Conference (IPC 2023), Orlando, FL, USA (2 pages). Lien externe

Affiche

Daoust, P. (mai 2017). Calcul informatique de pointe pour le développement d'alliages à base de nitrure d'aluminium et de nitrure de terres rares [Affiche]. 85e congrès de l’ACFAS, Montréal, QC, Canada. Lien externe

Présentation

Bellemare, C., Atalla, M. R. M., Daoust, P., Koelling, S., Assali, S., & Moutanabbir, O. (janvier 2024). Silicon-integrated SWIR and MWIR GeSn photoconductive devices [Présentation]. Dans SPIE OPTO, 2024, San Francisco, California, United States. Lien externe

Thèse de doctorat

Daoust, P. (2021). Étude des propriétés physiques d'alliages de nitrure d'aluminium et de nitrures de terres rares [Thèse de doctorat, Polytechnique Montréal]. Disponible

Demande de brevet

Daoust, P., Coia, C., Desjardins, P., & Masut, R. A. (2017). Piezoelectric Alloy Films. (Demande de brevet no US2017/0263847 A1). Lien externe

Daoust, P., Coia, C., Desjardins, P., & Masut, R. A. (2017). Piezoelectric Alloy Films. (Demande de brevet no EP3216894 A1). Lien externe

Liste produite: Sat Jun 13 04:17:08 2026 EDT.