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Bellemare, C., Atalla, M. R. M., Daoust, P., Koelling, S., Assali, S., & Moutanabbir, O. (janvier 2024). Silicon-integrated SWIR and MWIR GeSn photoconductive devices [Présentation]. Dans SPIE OPTO, 2024, San Francisco, California, United States. Lien externe
Atalla, M. R. M., Assali, S., Daligou, G., Attiaoui, A., Koelling, S., Daoust, P., & Moutanabbir, O. (2024). Continuous-Wave GeSn Light-Emitting Diodes on Silicon with 2.5 μm Room-Temperature Emission. ACS Photonics, 4c00033 (7 pages). Lien externe
Lemieux-Leduc, C., Atalla, M. R. M., Assali, S., Koelling, S., Daoust, P., Luo, L., Daligou, G., Brodeur, J., Kéna-Cohen, S., Peter, Y.-A., & Moutanabbir, O. (2024). Transfer-printed Multiple GeSn Membrane Mid-infrared Photodetectors. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 3450302 (12 pages). Lien externe
Moutanabbir, O., Assali, S., Attiaoui, A., Daligou, G., Daoust, P., Vecchio, P. D., Koelling, S., Luo, L., & Rotaru, N. (2023). Nuclear Spin-Depleted, Isotopically Enriched⁷⁰Ge/²⁸ Si⁷⁰Ge Quantum Wells. Advanced Materials, 2305703 (7 pages). Lien externe
Daoust, P. (2021). Étude des propriétés physiques d'alliages de nitrure d'aluminium et de nitrures de terres rares [Thèse de doctorat, Polytechnique Montréal]. Disponible
Py-Renaudie, A., Daoust, P., Côté, M., Desjardins, P., & Masut, R. A. (2020). Ab initio piezoelectric properties of wurtzite ZnO-based alloys: Impact of the c/a cell ratio. Physical Review Materials, 4(5), 053601 (9 pages). Lien externe
