Angelika Hähnel, Manfred Reiche, Oussama Moutanabbir, Horst Blumtritt, Holm Geisler, Jan Hoentschel et Hans-Jürgen Engelmann
Article de revue (2011)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
Un lien externe est disponible pour ce document| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/74538/ |
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| Titre de la revue: | Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics (vol. 8, no 4) |
| Maison d'édition: | Wiley |
| DOI: | 10.1002/pssc.201084007 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1002/pssc.201084007 |
| Date du dépôt: | 30 juil. 2026 14:54 |
| Dernière modification: | 30 juil. 2026 14:54 |
| Citer en APA 7: | Hähnel, A., Reiche, M., Moutanabbir, O., Blumtritt, H., Geisler, H., Hoentschel, J., & Engelmann, H.-J. (2011). Nano‐beam electron diffraction evaluation of strain behaviour in nano‐scale patterned strained silicon‐on‐insulator. Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics, 8(4), 1319-1324. https://doi.org/10.1002/pssc.201084007 |
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