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Modélisation analytique et extraction directe des paramètres du circuit équivalent des transistors bipolaires à hétérojonctions

Sami Bousnina

PhD thesis (2004)

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Cite this document: Bousnina, S. (2004). Modélisation analytique et extraction directe des paramètres du circuit équivalent des transistors bipolaires à hétérojonctions (PhD thesis, École Polytechnique de Montréal). Retrieved from https://publications.polymtl.ca/7276/
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Abstract

Revue bibliographique sur les transistors bipolaires à hétérojonctions -- Modélisation linéaire du transistor HBT en utilisant des méthodes d'extractions analytiques des paramètres du circuit équivalent -- Modélisation non-linéaire électrothermique du transistor HBT en utilisant des méthodes d'extractions directes des paramètres du circuit équivalent -- Implantation, validation et analyse des performances du modèle non-linéaire du transistor HBT.

Uncontrolled Keywords

Hétérojonctions; Transistors bipolaires -- Propriétés thermiques -- Modèles mathématiques

Open Access document in PolyPublie
Additional Information: Le fichier PDF de ce document a été produit par Bibliothèque et Archives Canada selon les termes du programme Thèses Canada https://canada.on.worldcat.org/oclc/57638662
Department: Département de génie électrique
Date Deposited: 04 Aug 2021 11:05
Last Modified: 25 Aug 2021 14:57
PolyPublie URL: https://publications.polymtl.ca/7276/

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