Patrick Daoust, Nicolas Rotaru, Alexis Dubé-Valade, Sebastian Koelling, Eloïse Rahier, Patrick Del Vecchio, Debojyoti Biswas, Marcus Edwards, Mukhlasur Tanvir, Ebrahim Sajadi, Joseph Salfi et Oussama Moutanabbir
Communication écrite (2025)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/72416/ |
| Nom de la conférence: | 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025) |
| Lieu de la conférence: | Yokohama-shi, Kanagawa, Japan |
| Date(s) de la conférence: | 2025-11-10 - 2025-11-13 |
| Date du dépôt: | 10 févr. 2026 09:03 |
| Dernière modification: | 10 févr. 2026 09:14 |
| Citer en APA 7: | Daoust, P., Rotaru, N., Dubé-Valade, A., Koelling, S., Rahier, E., Del Vecchio, P., Biswas, D., Edwards, M., Tanvir, M., Sajadi, E., Salfi, J., & Moutanabbir, O. (novembre 2025). Isotopically pure 70Ge/28Si70Ge heterostructures grown on SiGe-buffered Si wafers [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan. |
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