Prateek Kaul, Jan Karthein, Jonas Buchhorn, Taizo Kawano, Taisei Usubuchi, Jun Ishihara, Nicolas Rotaru, Patrick Del Vecchio, Omar Concepción Díaz, Detlev Grützmacher, Qing-Tai Zhao, Oussama Moutanabbir
, Makoto Kohda, Thomas Schäpers, Dan Mihai Buca
Communication écrite (2025)
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Nom de la conférence:
10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025)
Lieu de la conférence:
Yokohama-shi, Kanagawa, Japan
Date(s) de la conférence:
2025-11-10 - 2025-11-13
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:72412
ORCID
Date du dépôt:
10 févr. 2026 09:10
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:33
Citer en APA 7:
Kaul, P., Karthein, J., Buchhorn, J., Kawano, T., Usubuchi, T., Ishihara, J., Rotaru, N., Del Vecchio, P., Concepción Díaz, O., Grützmacher, D., Zhao, Q.-T., Moutanabbir, O., Kohda, M., Schäpers, T., & Buca, D. M. (novembre 2025). Characterization of a two-dimensional hole gas in a GeSn quantum well system [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan.
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