Prateek Kaul, Jan Karthein, Jonas Buchhorn, Taizo Kawano, Taisei Usubuchi, Jun Ishihara, Nicolas Rotaru, Patrick Del Vecchio, Omar Concepción Díaz, Detlev Grützmacher, Qing-Tai Zhao, Oussama Moutanabbir
, Makoto Kohda, Thomas Schäpers et Dan Mihai Buca
Communication écrite (2025)
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/72412/ |
| Nom de la conférence: | 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025) |
| Lieu de la conférence: | Yokohama-shi, Kanagawa, Japan |
| Date(s) de la conférence: | 2025-11-10 - 2025-11-13 |
| Date du dépôt: | 10 févr. 2026 09:10 |
| Dernière modification: | 10 févr. 2026 09:13 |
| Citer en APA 7: | Kaul, P., Karthein, J., Buchhorn, J., Kawano, T., Usubuchi, T., Ishihara, J., Rotaru, N., Del Vecchio, P., Concepción Díaz, O., Grützmacher, D., Zhao, Q.-T., Moutanabbir, O., Kohda, M., Schäpers, T., & Buca, D. M. (novembre 2025). Characterization of a two-dimensional hole gas in a GeSn quantum well system [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan. |
|---|---|
Statistiques
Aucune statistique n'est disponible.
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
