Xiang Meng, Irina Valitova, Clara Santato
et Fabio Cicoira
Chapitre de livre (2019)
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| Département: |
Département de génie chimique Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/61198/ |
| Éditeurs ou éditrices: | Marcelo Ornaghi Orlandi |
| Titre de la revue: | Elsevier eBooks |
| Maison d'édition: | Elsevier BV |
| DOI: | 10.1016/b978-0-12-815924-8.00016-5 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1016/b978-0-12-815924-8.00016-5 |
| Date du dépôt: | 17 déc. 2024 12:06 |
| Dernière modification: | 17 déc. 2024 12:06 |
| Citer en APA 7: | Meng, X., Valitova, I., Santato, C., & Cicoira, F. (2019). Tin dioxide ion-gated transistors. Dans Orlandi, M. O. (édit.), Tin Oxide Materials (p. 477-488). https://doi.org/10.1016/b978-0-12-815924-8.00016-5 |
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