Magnétophotoluminescence des semi-conducteurs Ge1−xSnx, facteur g∗ et décalage diamagnétique

La photonique intégrée sur silicium a été suggérée comme une alternative plus rapide et énergétiquement plus efficace à l’électronique traditionnelle. Toutefois, bien que compatible avec les procédés de fabrication cmos, les dispositifs à base de silicium et de germanium voient leurs propriétés optiques et leurs performances générales limitées par la bande interdite indirecte de ces semi-conducteurs, ce qui restreint leurs capacités d’absorption et d’émission. Pour surmonter cette contrainte, l’élaboration d’un semi-conducteur de groupe IV à bande interdite directe a été longtemps envisagée. Bien que l’alliage entre le germanium et l’étain ait déjà un certain potentiel, sa mise en œuvre pratique a été compliquée par les difficultés liées à la fabrication d’épi-couches de germanium-étain de bonne qualité. Les avancées dans les méthodes de dépôt ont permis de s’affranchir de cette contrainte, offrant un semi-conducteur dont la bande interdite est modulable en fonction de la concentration en étain et des contrai