Mid-Infrared Top-Gated Ge<inf>0.82</inf>Sn<inf>0.18</inf> Nanowire Phototransistors

Luo, Lu; Atalla, Mahmoud R. M.; Assali, Simone; Koelling, Sebastian; Moutanabbir, Oussama; Luo, Lu; Atalla, Mahmoud R. M.; Assali, Simone; Koelling, Sebastian; Moutanabbir, Oussama

Mid-Infrared Top-Gated Ge<inf>0.82</inf>Sn<inf>0.18</inf> Nanowire Phototransistors

Lu Luo, Mahmoud R. M. Atalla, Simone Assali, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir

Article de revue (2024)

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Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/58511/

Titre de la revue :

Advanced Optical Materials

Maison d'édition:

John Wiley and Sons Inc

DOI:

10.1002/adom.202400096

URL officielle:

https://doi.org/10.1002/adom.202400096

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:58511

ORCID

Date du dépôt:

03 juin 2024 14:54

Dernière modification:

14 oct. 2026 14:18

Citer en APA 7:

Luo, L., Atalla, M. R. M., Assali, S., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (2024). Mid-Infrared Top-Gated Ge<inf>0.82</inf>Sn<inf>0.18</inf> Nanowire Phototransistors. Advanced Optical Materials, 2400096 (7 pages). https://doi.org/10.1002/adom.202400096

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