Mid-Infrared Top-Gated Ge<inf>0.82</inf>Sn<inf>0.18</inf> Nanowire Phototransistors

Lu Luo, Mahmoud R. M. Atalla, Simone Assali, Sebastian Koelling et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2024)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/58511/
Titre de la revue:	Advanced Optical Materials
Maison d'édition:	John Wiley and Sons Inc
DOI:	10.1002/adom.202400096
URL officielle:	https://doi.org/10.1002/adom.202400096
Date du dépôt:	03 juin 2024 14:54
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:50

Citer en APA 7:	Luo, L., Atalla, M. R. M., Assali, S., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (2024). Mid-Infrared Top-Gated Ge<inf>0.82</inf>Sn<inf>0.18</inf> Nanowire Phototransistors. Advanced Optical Materials, 2400096 (7 pages). https://doi.org/10.1002/adom.202400096
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