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Mid-infrared Imaging Using Strain-Relaxed Ge1–xSnx Alloys Grown on 20 nm Ge Nanowires

Lu Luo, Mahmoud R. M. Atalla, Simone Assali, Sebastian Koelling, Gérard Daligou et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2024)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/58102/
Titre de la revue: Nano Letters
Maison d'édition: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c00759
URL officielle: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c00759
Date du dépôt: 30 avr. 2024 12:41
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:50
Citer en APA 7: Luo, L., Atalla, M. R. M., Assali, S., Koelling, S., Daligou, G., & Moutanabbir, O. (2024). Mid-infrared Imaging Using Strain-Relaxed Ge1–xSnx Alloys Grown on 20 nm Ge Nanowires. Nano Letters, 8-8. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c00759

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