A. W. Lussier, David Bourbonnais-Sureault, M. Chicoine, Richard Martel, Ludvik Martinu
, S. Roorda, François Schiettekatte
Article de revue (2024)
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Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
135
,
no
6
)
Maison d'édition:
AIP Publishing
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:57455
ORCID
Date du dépôt:
28 févr. 2024 14:05
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:17
Citer en APA 7:
Lussier, A. W., Bourbonnais-Sureault, D., Chicoine, M., Martel, R., Martinu, L., Roorda, S., & Schiettekatte, F. (2024). Raman-based mapping and depth-profiling of the relaxation state in amorphous silicon. Journal of Applied Physics, 135(6), 065301 (12 pages). https://doi.org/10.1063/5.0186959
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