Raman-based mapping and depth-profiling of the relaxation state in amorphous silicon

A. W. Lussier, D. Bourbonnais-Sureault, M. Chicoine, R. Martel, Ludvik Martinu, S. Roorda et François Schiettekatte

Article de revue (2024)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/57455/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 135, no 6)
Maison d'édition:	AIP Publishing
DOI:	10.1063/5.0186959
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/5.0186959
Date du dépôt:	28 févr. 2024 14:05
Dernière modification:	12 avr. 2024 16:45

Citer en APA 7:	Lussier, A. W., Bourbonnais-Sureault, D., Chicoine, M., Martel, R., Martinu, L., Roorda, S., & Schiettekatte, F. (2024). Raman-based mapping and depth-profiling of the relaxation state in amorphous silicon. Journal of Applied Physics, 135(6), 065301 (12 pages). https://doi.org/10.1063/5.0186959
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