Raman-based mapping and depth-profiling of the relaxation state in amorphous silicon

A. W. Lussier, D. Bourbonnais-Sureault, M. Chicoine, R. Martel, Ludvik Martinu, S. Roorda et François Schiettekatte

Article de revue (2024)

Document en libre accès chez l'éditeur officiel

Un lien externe est disponible pour ce document

Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/57455/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 135, no 6)
Maison d'édition:	AIP Publishing
DOI:	10.1063/5.0186959
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/5.0186959
Date du dépôt:	28 févr. 2024 14:05
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:49

Citer en APA 7:	Lussier, A. W., Bourbonnais-Sureault, D., Chicoine, M., Martel, R., Martinu, L., Roorda, S., & Schiettekatte, F. (2024). Raman-based mapping and depth-profiling of the relaxation state in amorphous silicon. Journal of Applied Physics, 135(6), 065301 (12 pages). https://doi.org/10.1063/5.0186959
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Répertoire des publications (EndNote)Simple Metadata

Statistiques

Actions réservées au personnel