Mémoire optique à changement de phase pour calcul neuromorphique destiné à l'intelligence artificielle

L’objectif principal de ce projet de maîtrise est d’explorer l’usage de matériaux à changement de phase comme mémoire optique non-volatile dans le but d’effectuer des opérations matricielles rapidement et efficacement dans le domaine optique. Les multiplications sont effectuées par modulation d’amplitude grâce au contraste de pertes optiques entre la phase amorphe et cristalline du chalcogénure étudié, dont le changement de phase est rapide et réversible. L’état de ces mémoires, lorsque intégrées à un circuit photonique actif faisant également l’objet de ce mémoire, peut être individuellement altéré par l’emploi d’éléments chauffants intégrés de sorte à encoder les éléments de la matrice à multiplier. La proposition implique la caractérisation du Ge2Sb2Se5, un matériau émergent prometteur dans le domaine des mémoires non-volatiles optiques. Le contraste optique mesuré entre les états vitreux et cristallins du matériau implique un différence d’absorption approximative de 0.8 dB/µm dans la bande C et des pertes d’insertion négligeables dans l’état amorphe, justifiant son utilité potentielle comme mémoire. La méthode d’intégration proposée consiste au dépôt du matériau sur guides d’onde en silicium, de sorte à maximiser l’interaction entre le mode de propagation et le chalcogénure. Cette intégration a été effectuée par un procédé de microfabrication maison développé au Laboratoire de Microfabrication de Polytechnique Montréal. Un contraste optique de 0.5 à 1 dB/µm a été observé lorsque la mémoire est intégrée au circuit photonique suite à une cristallisation induite par recuit lent. Une nouvelle architecture de multiplication matricielle optique, mieux adaptée aux grandes matrices a été présentée et simulée, démontrant une amélioration de 3 ordres de grandeur en terme de pertes et d’imbalance de calcul pour des matrices de taile N = 100.