Ahmad Hassan
, Mostafa Amer, Yvon Savaria et Mohamad Sawan
Communication écrite (2020)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: |
Polystim - Laboratoire de neurotechnologie GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/46708/ |
| Nom de la conférence: | 18th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS 2020) |
| Lieu de la conférence: | Montréal, Qc, Canada |
| Date(s) de la conférence: | 2020-06-16 - 2020-06-19 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/newcas49341.2020.9159796 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/newcas49341.2020.9159796 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:00 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:35 |
| Citer en APA 7: | Hassan, A., Amer, M., Savaria, Y., & Sawan, M. (juin 2020). Towards GaN500-based high temperature ICs: Characterization and modeling up to 600°C [Communication écrite]. 18th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS 2020), Montréal, Qc, Canada. https://doi.org/10.1109/newcas49341.2020.9159796 |
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