Mostafa Amer, Mohamed Ali, Ahmed Abuelnasr, Ahmad Hassan, Morteza Nabavi, Yvon Savaria et Mohamad Sawan
Communication écrite (2020)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie électrique |
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Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/46706/ |
Nom de la conférence: | 18th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS 2020) |
Lieu de la conférence: | Montréal, Qc, Canada |
Date(s) de la conférence: | 2020-06-16 - 2020-06-19 |
Maison d'édition: | IEEE |
DOI: | 10.1109/newcas49341.2020.9159789 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1109/newcas49341.2020.9159789 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:00 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:35 |
Citer en APA 7: | Amer, M., Ali, M., Abuelnasr, A., Hassan, A., Nabavi, M., Savaria, Y., & Sawan, M. (juin 2020). Fully integrated dual-channel gate driver and area efficient pid compensator for surge tolerant power sensor interface [Communication écrite]. 18th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS 2020), Montréal, Qc, Canada. https://doi.org/10.1109/newcas49341.2020.9159789 |
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