T. Grange, S. Mukherjee, G. Capellini, M. Montanari, L. Persichetti, L. Di Gaspare, S. Birner, A. Attiaoui, Oussama Moutanabbir
, M. Virgilio et M. De Seta
Article de revue (2020)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/45177/ |
| Titre de la revue: | Physical Review Applied (vol. 13, no 4) |
| Maison d'édition: | American Physical Society (APS) |
| DOI: | 10.1103/physrevapplied.13.044062 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevapplied.13.044062 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:00 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:32 |
| Citer en APA 7: | Grange, T., Mukherjee, S., Capellini, G., Montanari, M., Persichetti, L., Di Gaspare, L., Birner, S., Attiaoui, A., Moutanabbir, O., Virgilio, M., & De Seta, M. (2020). Atomic-Scale Insights into Semiconductor Heterostructures: From Experimental Three-Dimensional Analysis of the Interface to a Generalized Theory of Interfacial Roughness Scattering. Physical Review Applied, 13(4), 14 pages. https://doi.org/10.1103/physrevapplied.13.044062 |
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