Thomas Grange, Samik Mukherjee, Giovanni Capellini, Michele Montanari, Luca Persichetti, L. Di Gaspare, Stefan Birner, Anis Attiaoui, Oussama Moutanabbir, Michele Virgilio et M. De Seta
Article de revue (2020)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
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URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/45177/ |
Titre de la revue: | Physical Review Applied (vol. 13, no 4) |
Maison d'édition: | American Physical Society (APS) |
DOI: | 10.1103/physrevapplied.13.044062 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevapplied.13.044062 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:00 |
Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:10 |
Citer en APA 7: | Grange, T., Mukherjee, S., Capellini, G., Montanari, M., Persichetti, L., Di Gaspare, L., Birner, S., Attiaoui, A., Moutanabbir, O., Virgilio, M., & De Seta, M. (2020). Atomic-Scale Insights into Semiconductor Heterostructures: From Experimental Three-Dimensional Analysis of the Interface to a Generalized Theory of Interfacial Roughness Scattering. Physical Review Applied, 13(4), 14 pages. https://doi.org/10.1103/physrevapplied.13.044062 |
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