Models of paracrystalline silicon with a defect-free bandgap

S. M. Nakhmanson, Normand Mousseau, G. T. Barkema, P. M. Voyles et D. A. Drabold

Article de revue (2001)

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URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/41496/
Titre de la revue:	International Journal of Modern Physics B (vol. 15, no 24-25)
Maison d'édition:	World Scientific
DOI:	10.1142/s0217979201007580
URL officielle:	https://doi.org/10.1142/s0217979201007580
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:27

Citer en APA 7:	Nakhmanson, S. M., Mousseau, N., Barkema, G. T., Voyles, P. M., & Drabold, D. A. (2001). Models of paracrystalline silicon with a defect-free bandgap. International Journal of Modern Physics B, 15(24-25), 3253-3257. https://doi.org/10.1142/s0217979201007580
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