Simulation of Single-Particle Displacement Damage in Silicon. Part III: First Principle Characterization of Defect Properties

Jay, Antoine; Hémeryck, Anne; Richard, Nicolas; Martin-Samos, Layla; Raine, Mélanie; Le Roch, Alexandre; Mousseau, Normand; Goiffon, Vincent; Paillet, Philippe; Gaillardin, Marc; Magnan, Pierre; Jay, Antoine; Hémeryck, Anne; Richard, Nicolas; Martin-Samos, Layla; Raine, Mélanie; Le Roch, Alexandre; Mousseau, Normand; Goiffon, Vincent; Paillet, Philippe; Gaillardin, Marc; Magnan, Pierre

Simulation of Single-Particle Displacement Damage in Silicon. Part III: First Principle Characterization of Defect Properties

Antoine Jay, Anne Hémeryck, Nicolas Richard, Layla Martin-Samos, Mélanie Raine, Alexandre Le Roch, Normand Mousseau , Vincent Goiffon, Philippe Paillet, Marc Gaillardin, Pierre Magnan

Article de revue (2018)

Accéder à ce document

Lien externe

Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel

Voir chez l'éditeur officiel

Département:

Département de mathématiques et de génie industriel

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/41468/

Titre de la revue :

IEEE Transactions on Nuclear Science ( vol. 65 , no 2 )

Maison d'édition:

IEEE

DOI:

10.1109/tns.2018.2790843

URL officielle:

https://doi.org/10.1109/tns.2018.2790843

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:41468

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:03

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:52

Citer en APA 7:

Jay, A., Hémeryck, A., Richard, N., Martin-Samos, L., Raine, M., Le Roch, A., Mousseau, N., Goiffon, V., Paillet, P., Gaillardin, M., & Magnan, P. (2018). Simulation of Single-Particle Displacement Damage in Silicon. Part III: First Principle Characterization of Defect Properties. IEEE Transactions on Nuclear Science, 65(2), 724-731. https://doi.org/10.1109/tns.2018.2790843

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document