Simulation of Single-Particle Displacement Damage in Silicon. Part III: First Principle Characterization of Defect Properties

Antoine Jay, Anne Hémeryck, Nicolas Richard, Layla Martin-Samos, Mélanie Raine, Alexandre Le Roch, Normand Mousseau, Vincent Goiffon, Philippe Paillet, Marc Gaillardin et Pierre Magnan

Article de revue (2018)

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Département:	Département de mathématiques et de génie industriel
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/41468/
Titre de la revue:	IEEE Transactions on Nuclear Science (vol. 65, no 2)
Maison d'édition:	IEEE
DOI:	10.1109/tns.2018.2790843
URL officielle:	https://doi.org/10.1109/tns.2018.2790843
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:03
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:38

Citer en APA 7:	Jay, A., Hémeryck, A., Richard, N., Martin-Samos, L., Raine, M., Le Roch, A., Mousseau, N., Goiffon, V., Paillet, P., Gaillardin, M., & Magnan, P. (2018). Simulation of Single-Particle Displacement Damage in Silicon. Part III: First Principle Characterization of Defect Properties. IEEE Transactions on Nuclear Science, 65(2), 724-731. https://doi.org/10.1109/tns.2018.2790843
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