Antoine Jay, Anne Hémeryck, Nicolas Richard, Layla Martin-Samos, Mélanie Raine, Alexandre Le Roch, Normand Mousseau
, Vincent Goiffon, Philippe Paillet, Marc Gaillardin et Pierre Magnan
Article de revue (2018)
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| Département: | Département de mathématiques et de génie industriel |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41468/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Nuclear Science (vol. 65, no 2) |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/tns.2018.2790843 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/tns.2018.2790843 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:03 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:27 |
| Citer en APA 7: | Jay, A., Hémeryck, A., Richard, N., Martin-Samos, L., Raine, M., Le Roch, A., Mousseau, N., Goiffon, V., Paillet, P., Gaillardin, M., & Magnan, P. (2018). Simulation of Single-Particle Displacement Damage in Silicon. Part III: First Principle Characterization of Defect Properties. IEEE Transactions on Nuclear Science, 65(2), 724-731. https://doi.org/10.1109/tns.2018.2790843 |
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