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Atomically uniform Sn-rich GeSn semiconductors with 3.0-3.5 µm room-temperature optical emission

S. Assali, J. Nicolas, S. Mukherjee, A. Dijkstra et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2018)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/40536/
Titre de la revue: Applied Physics Letters (vol. 112, no 25)
Maison d'édition: AIP Publishing
DOI: 10.1063/1.5038644
URL officielle: https://doi.org/10.1063/1.5038644
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:02
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:26
Citer en APA 7: Assali, S., Nicolas, J., Mukherjee, S., Dijkstra, A., & Moutanabbir, O. (2018). Atomically uniform Sn-rich GeSn semiconductors with 3.0-3.5 µm room-temperature optical emission. Applied Physics Letters, 112(25), 5 pages. https://doi.org/10.1063/1.5038644

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