S. Assali, J. Nicolas, S. Mukherjee, A. Dijkstra et Oussama Moutanabbir
Article de revue (2018)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/40536/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 112, no 25) |
| Maison d'édition: | AIP Publishing |
| DOI: | 10.1063/1.5038644 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.5038644 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:02 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:26 |
| Citer en APA 7: | Assali, S., Nicolas, J., Mukherjee, S., Dijkstra, A., & Moutanabbir, O. (2018). Atomically uniform Sn-rich GeSn semiconductors with 3.0-3.5 µm room-temperature optical emission. Applied Physics Letters, 112(25), 5 pages. https://doi.org/10.1063/1.5038644 |
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