Evidence of sub-10 nm aluminum-oxygen precipitates in silicon

Oussama Moutanabbir, D. Isheim, Mao Zugang et D. N. Seidman

Article de revue (2016)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/34440/
Titre de la revue:	Nanotechnology (vol. 27, no 20)
Maison d'édition:	IOP Publishing
DOI:	10.1088/0957-4484/27/20/205706
URL officielle:	https://doi.org/10.1088/0957-4484/27/20/205706
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:06
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:17

Citer en APA 7:	Moutanabbir, O., Isheim, D., Zugang, M., & Seidman, D. N. (2016). Evidence of sub-10 nm aluminum-oxygen precipitates in silicon. Nanotechnology, 27(20), 7 pages. https://doi.org/10.1088/0957-4484/27/20/205706
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