A. Singh, P. Cova, Rémo A. Masut
Article de revue (1994)
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Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
76
,
no
4
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:32846
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:25
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:20
Citer en APA 7:
Singh, A., Cova, P., & Masut, R. A. (1994). Reverse I-V and C-V characteristics of Schottky-barrier type diodes on Zn doped InP epilayers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 76(4), 2336-2342. https://doi.org/10.1063/1.357611
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