A. Singh, P. Cova et Rémo A. Masut
Article de revue (1994)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32846/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 76, no 4) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.357611 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.357611 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:15 |
| Citer en APA 7: | Singh, A., Cova, P., & Masut, R. A. (1994). Reverse I-V and C-V characteristics of Schottky-barrier type diodes on Zn doped InP epilayers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 76(4), 2336-2342. https://doi.org/10.1063/1.357611 |
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