John Dupuis, Rached Hajji, Fadhel M. Ghannouchi, Khaled Saab, Sylvain Lavallée
Article de revue (1995)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
IEEE Transactions on Electron Devices
(
vol.
42
,
no
12
)
Maison d'édition:
IEEE
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:32349
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:20
Citer en APA 7:
Dupuis, J., Hajji, R., Ghannouchi, F. M., Saab, K., & Lavallée, S. (1995). A new DC model of HBT's including self-heating effect suitable for circuit simulators. IEEE Transactions on Electron Devices, 42(12), 2036-2042. https://doi.org/10.1109/16.477758
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