John Dupuis, Rached Hajji, Fadhel M. Ghannouchi, Khaled Saab et Sylvain Lavallée
Article de revue (1995)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
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| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32349/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Electron Devices (vol. 42, no 12) |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/16.477758 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/16.477758 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:14 |
| Citer en APA 7: | Dupuis, J., Hajji, R., Ghannouchi, F. M., Saab, K., & Lavallée, S. (1995). A new DC model of HBT's including self-heating effect suitable for circuit simulators. IEEE Transactions on Electron Devices, 42(12), 2036-2042. https://doi.org/10.1109/16.477758 |
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