Michel Bégin, Fadhel M. Ghannouchi, François Beauregard, Luca Selmi et Bruno Ricco
Article de revue (1996)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
|---|---|
| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/31525/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement (vol. 45, no 1) |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/19.481339 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/19.481339 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:21 |
| Citer en APA 7: | Bégin, M., Ghannouchi, F. M., Beauregard, F., Selmi, L., & Ricco, B. (1996). Characterization of the transient behavior of a GaAs MESFET using dynamic I-V and S-parameter measurements. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 45(1), 231-237. https://doi.org/10.1109/19.481339 |
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