Michel Bégin, Fadhel M. Ghannouchi, François Beauregard, Luca Selmi, Bruno Ricco
Article de revue (1996)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement
(
vol.
45
,
no
1
)
Maison d'édition:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:31525
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:18
Citer en APA 7:
Bégin, M., Ghannouchi, F. M., Beauregard, F., Selmi, L., & Ricco, B. (1996). Characterization of the transient behavior of a GaAs MESFET using dynamic I-V and S-parameter measurements. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 45(1), 231-237. https://doi.org/10.1109/19.481339
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