F. Cléton, B. Sieber, Rémo A. Masut
, L. Isnard, J. M. Bonard et J.-D. Ganière
Article de revue (1996)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/31397/ |
| Titre de la revue: | Semiconductor Science and Technology (vol. 11, no 5) |
| Maison d'édition: | IOP Publishing |
| DOI: | 10.1088/0268-1242/11/5/013 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1088/0268-1242/11/5/013 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 06:52 |
| Citer en APA 7: | Cléton, F., Sieber, B., Masut, R. A., Isnard, L., Bonard, J. M., & Ganière, J.-D. (1996). Photon recycling as the dominant process of luminescence generation in an electron-beam excited n-InP epilayer grown on an n⁺-InP substrate. Semiconductor Science and Technology, 11(5), 726-734. https://doi.org/10.1088/0268-1242/11/5/013 |
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