L. Ouellet, Y. Tremblay, Gérald Gagnon, M. Caron, John F. Currie, S. C. Gujrathi et M. Biberger
Article de revue (1996)
Un lien externe est disponible pour ce documentRenseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux |
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Département: | Département de génie physique |
Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/30998/ |
Titre de la revue: | Journal of vacuum science & technology. B. Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena (vol. 14, no 4) |
Maison d'édition: | American Vacuum Society |
DOI: | 10.1116/1.588997 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1116/1.588997 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:12 |
Citer en APA 7: | Ouellet, L., Tremblay, Y., Gagnon, G., Caron, M., Currie, J. F., Gujrathi, S. C., & Biberger, M. (1996). The effect of the Ti glue layer in an integrated Ti/TiN/Ti/AlSiCu/TiN contact metallization process. Journal of vacuum science & technology. B. Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 14(4), 2627-2635. https://doi.org/10.1116/1.588997 |
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