Effect of capture and escape phenomena in Monte Carlo technique on the simulation of the nonlinear characteristics in high electron mobility transistors

Michel Abou Khalil, D. Schreurs, B. Nauwelaers, M. Van Rossum, Romain Maciejko et Ke Wu

Article de revue (1997)

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Renseignements supplémentaires:	Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Département:	Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/30739/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 82, no 12)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.366521
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.366521
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:20

Citer en APA 7:	Abou Khalil, M., Schreurs, D., Nauwelaers, B., Van Rossum, M., Maciejko, R., & Wu, K. (1997). Effect of capture and escape phenomena in Monte Carlo technique on the simulation of the nonlinear characteristics in high electron mobility transistors. Journal of Applied Physics, 82(12), 6312-6318. https://doi.org/10.1063/1.366521
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