Michel Abou Khalil, Dominique Schreurs, Bart Nauwelaers, M. Van Rossum, Romain Maciejko, Ke Wu
Article de revue (1997)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Département:
Unité de recherche:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
82
,
no
12
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:30739
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:17
Citer en APA 7:
Abou Khalil, M., Schreurs, D., Nauwelaers, B., Van Rossum, M., Maciejko, R., & Wu, K. (1997). Effect of capture and escape phenomena in Monte Carlo technique on the simulation of the nonlinear characteristics in high electron mobility transistors. Journal of Applied Physics, 82(12), 6312-6318. https://doi.org/10.1063/1.366521
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