Michel Abou Khalil, D. Schreurs, B. Nauwelaers, M. Van Rossum, Romain Maciejko et Ke Wu
Article de revue (1997)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
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| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel Département de génie physique |
| Centre de recherche: | POLY-GRAMES - Centre de recherche avancée en micro-ondes et en électronique spatiale |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/30739/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 82, no 12) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.366521 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.366521 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:12 |
| Citer en APA 7: | Abou Khalil, M., Schreurs, D., Nauwelaers, B., Van Rossum, M., Maciejko, R., & Wu, K. (1997). Effect of capture and escape phenomena in Monte Carlo technique on the simulation of the nonlinear characteristics in high electron mobility transistors. Journal of Applied Physics, 82(12), 6312-6318. https://doi.org/10.1063/1.366521 |
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