Calculation of the HF characteristics in high electron mobility transistors by considering capture and escape phenomena in the Monte Carlo technique

M. Abou-Khalil, Dominique Schreurs, Toshiaki Matsui, Ke Wu

Communication écrite (1997)

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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
Asia-Pacific Microwave Conference (APMC 1997)
Lieu de la conférence:
Hong Kong
Date(s) de la conférence:
1997-12-02 - 1997-12-05
Maison d'édition:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:30737
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:17
Citer en APA 7:
Abou-Khalil, M., Schreurs, D., Matsui, T., & Wu, K. (décembre 1997). Calculation of the HF characteristics in high electron mobility transistors by considering capture and escape phenomena in the Monte Carlo technique [Communication écrite]. Asia-Pacific Microwave Conference (APMC 1997), Hong Kong. https://doi.org/10.1109/apmc.1997.654637

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